창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S10K150G5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B722 Series, StandarD | |
| 제품 교육 모듈 | SMD Disk Varistors Circuit Protection Offering | |
| 주요제품 | TDK EPCOS Circuit Protection | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 216V | |
| 배리스터 전압(통상) | 240V | |
| 배리스터 전압(최대) | 264V | |
| 전류 - 서지 | 2.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 150VAC | |
| 최대 DC 전압 | 200VDC | |
| 에너지 | 24J | |
| 패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | B72210S 151K151 B72210S0151K151 B72210S151K151 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | S10K150G5 | |
| 관련 링크 | S10K1, S10K150G5 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D8R2DXCAP | 8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D8R2DXCAP.pdf | |
![]() | 06031A100JAJ4A | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A100JAJ4A.pdf | |
![]() | 7A12070002 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A12070002.pdf | |
![]() | PLT0805Z1002AST5 | RES SMD 10K OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLT0805Z1002AST5.pdf | |
![]() | BFR183TE-6327 | BFR183TE-6327 INF SOT423 | BFR183TE-6327.pdf | |
![]() | PEB8191FGDV1.1 | PEB8191FGDV1.1 INF Call | PEB8191FGDV1.1.pdf | |
![]() | BA81C156B0697 | BA81C156B0697 BUSLOGIC QFP | BA81C156B0697.pdf | |
![]() | 30TPSMC15A | 30TPSMC15A ORIGINAL DO-214ABSMC | 30TPSMC15A.pdf | |
![]() | LTE-302-M(HM) | LTE-302-M(HM) LITEONOPTOELECTRONICS SMD or Through Hole | LTE-302-M(HM).pdf | |
![]() | MAG-TEKING21006516 | MAG-TEKING21006516 ORIGINAL SOP | MAG-TEKING21006516.pdf | |
![]() | LQN1A23NJ04M00-01/T052 | LQN1A23NJ04M00-01/T052 MuRata O805 | LQN1A23NJ04M00-01/T052.pdf | |
![]() | AXK4S80635G | AXK4S80635G nais SMD or Through Hole | AXK4S80635G.pdf |