- S-1132B30-I6T2G
S-1132B30-I6T2G 가격 및 조달
가능 수량
30750 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 S-1132B30-I6T2G 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. S-1132B30-I6T2G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. S-1132B30-I6T2G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- S-1132B30-I6T2G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
S-1132B30-I6T2G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-S-1132B30-I6T2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | S-1132B30-I6T2G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | S-1132B30-I6T2G | |
| 관련 링크 | S-1132B30, S-1132B30-I6T2G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
S-1132B30-I6T2G 의 관련 제품
 | SR201C822KAA | 8200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201C822KAA.pdf | |
 | 2225WC222KAT1A | 2200pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225WC222KAT1A.pdf | |
 | 402F270XXCJT | 27MHz ±15ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F270XXCJT.pdf | |
 | IMC1812BN22NM | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 200 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN22NM.pdf | |
 | RN73C1E133RBTG | RES SMD 133 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E133RBTG.pdf | |
 | 35CE150PX | 35CE150PX SANYO SMD | 35CE150PX.pdf | |
| 070915F0155220ZR | 070915F0155220ZR suyin N A | 070915F0155220ZR.pdf | |
| LDV175E | LDV175E KEC SMD or Through Hole | LDV175E.pdf | |
| XCV600E FG676AGT 6C | XCV600E FG676AGT 6C ORIGINAL BGA-676D | XCV600E FG676AGT 6C.pdf | |
| B1207025AEDA0GE | B1207025AEDA0GE Cantherm SMD or Through Hole | B1207025AEDA0GE.pdf | |
| EVN5ESX50B55 | EVN5ESX50B55 Panasonic SMD or Through Hole | EVN5ESX50B55.pdf | |
| TCD3571D | TCD3571D TOSHIBA DIP | TCD3571D.pdf |