창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RZR040P01TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RZR040P01 | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-96 | |
공급 장치 패키지 | TSMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RZR040P01TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RZR040P01TL | |
관련 링크 | RZR040, RZR040P01TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
SRN5040-150M | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 96 mOhm Max Nonstandard | SRN5040-150M.pdf | ||
RT0805CRC076K19L | RES SMD 6.19KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC076K19L.pdf | ||
C1206X123K501T | C1206X123K501T HEC SMD or Through Hole | C1206X123K501T.pdf | ||
SISM672A1 | SISM672A1 SIS SMD or Through Hole | SISM672A1.pdf | ||
2SD1777C1-TR | 2SD1777C1-TR HITACHI C1 23 | 2SD1777C1-TR.pdf | ||
352.3Z | 352.3Z TOYOCOM QFN | 352.3Z.pdf | ||
APKA4110VGC/A-F01 | APKA4110VGC/A-F01 KIBGBRIGHT ROHS | APKA4110VGC/A-F01.pdf | ||
TG01-0756N | TG01-0756N HALO RJ45 | TG01-0756N.pdf | ||
UC2835D | UC2835D ORIGINAL SOP | UC2835D.pdf | ||
LM1085ISX-5.0NOPB | LM1085ISX-5.0NOPB NATIONALSEMICONDUCTOR NA | LM1085ISX-5.0NOPB.pdf | ||
TXC-04236AIBG.B | TXC-04236AIBG.B TRANSWITCH BGA | TXC-04236AIBG.B.pdf | ||
DI-165-5 | DI-165-5 HARRIS DIPLCC | DI-165-5.pdf |