창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RZQ045P01TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RZQ045P01 ~ | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2450pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RZQ045P01TR | |
관련 링크 | RZQ045, RZQ045P01TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM0225C1E220JA02L | 22pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E220JA02L.pdf | ||
JMK212ABJ106KGHT | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | JMK212ABJ106KGHT.pdf | ||
Y118922K1000TR1R | RES 22.1K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118922K1000TR1R.pdf | ||
180CRE800 | 180CRE800 KWC SCR | 180CRE800.pdf | ||
XC2S300EFG456 | XC2S300EFG456 XILINX BGA | XC2S300EFG456.pdf | ||
BC857ALT1 (3E) | BC857ALT1 (3E) CJ SOT-23 | BC857ALT1 (3E).pdf | ||
MMBR4957LT1 | MMBR4957LT1 ONsemi SOT-23 | MMBR4957LT1.pdf | ||
20w-10k | 20w-10k ORIGINAL SMD or Through Hole | 20w-10k.pdf | ||
ATMO-4AA | ATMO-4AA ALCATEL BGA | ATMO-4AA.pdf | ||
550C902T400DG2D | 550C902T400DG2D CDE DIP | 550C902T400DG2D.pdf | ||
2SC536-TB-E | 2SC536-TB-E SANYO SOT23 | 2SC536-TB-E.pdf | ||
KN30-7S-1.25C | KN30-7S-1.25C HRS SMD or Through Hole | KN30-7S-1.25C.pdf |