창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RZL035P01TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RZL035P01 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 3.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1940pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RZL035P01TR | |
| 관련 링크 | RZL035, RZL035P01TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PTN1206E4022BST1 | RES SMD 40.2K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E4022BST1.pdf | |
![]() | DP11VN15B25K | DP11 VER 15P NDET 25K M7*7MM | DP11VN15B25K.pdf | |
![]() | 47.459MHZ | 47.459MHZ HERTZ NA | 47.459MHZ.pdf | |
![]() | SI25G45EM | SI25G45EM SI SOP8 | SI25G45EM.pdf | |
![]() | FS3873 | FS3873 FORTUNE DIP-8 | FS3873.pdf | |
![]() | 74HCT125PW.118 | 74HCT125PW.118 NXP SMD or Through Hole | 74HCT125PW.118.pdf | |
![]() | ALD-25454DF | ALD-25454DF ORIGINAL SMD or Through Hole | ALD-25454DF.pdf | |
![]() | CL100505T-10NM-N | CL100505T-10NM-N YAGEO SMD | CL100505T-10NM-N.pdf | |
![]() | MB114F066CR-G | MB114F066CR-G ORIGINAL PGA | MB114F066CR-G.pdf | |
![]() | T1052S08TDC | T1052S08TDC EUPEC module | T1052S08TDC.pdf | |
![]() | 54S193DMQB | 54S193DMQB NS CDIP | 54S193DMQB.pdf | |
![]() | KSB772-Y-TSTU | KSB772-Y-TSTU SAMSUNG TR | KSB772-Y-TSTU.pdf |