창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RZF013P01TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RZF013P01 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 1.3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RZF013P01TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RZF013P01TL | |
관련 링크 | RZF013, RZF013P01TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C1608JB1C335K080AC | 3.3µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608JB1C335K080AC.pdf | |
![]() | CPCP053R300JB31 | RES 3.3 OHM 5W 5% RADIAL | CPCP053R300JB31.pdf | |
![]() | BM14C(0.8)-54DP-0.4V(51) | BM14C(0.8)-54DP-0.4V(51) HRS SMD | BM14C(0.8)-54DP-0.4V(51).pdf | |
![]() | AN300A015K | AN300A015K BREVETTI SMD or Through Hole | AN300A015K.pdf | |
![]() | 7210-151K | 7210-151K SAGAMI SMD or Through Hole | 7210-151K.pdf | |
![]() | MMAGR02GUECA-2MBMK | MMAGR02GUECA-2MBMK Samsung SMD or Through Hole | MMAGR02GUECA-2MBMK.pdf | |
![]() | ECJ1VB1C102K | ECJ1VB1C102K ORIGINAL SMD or Through Hole | ECJ1VB1C102K.pdf | |
![]() | SY5315-F | SY5315-F AUK ROHS | SY5315-F.pdf | |
![]() | HEF4001BT653 | HEF4001BT653 none none | HEF4001BT653.pdf | |
![]() | LQW18AN27NJ00J | LQW18AN27NJ00J TDKMURATATAIYO SMD or Through Hole | LQW18AN27NJ00J.pdf | |
![]() | MHI0805-R27-JTW | MHI0805-R27-JTW RCD SMD | MHI0805-R27-JTW.pdf |