창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RXT2520ATE 19.200M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RXT2520ATE 19.200M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RXT2520ATE 19.200M | |
| 관련 링크 | RXT2520ATE , RXT2520ATE 19.200M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1885C2A1R2CB01D | 1.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1885C2A1R2CB01D.pdf | |
![]() | ECS-135.6-20-3X-TR | 13.56MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-135.6-20-3X-TR.pdf | |
![]() | LQW2BHNR33J03L | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 2.2 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | LQW2BHNR33J03L.pdf | |
![]() | P6KE160A-E3 | P6KE160A-E3 VISHAY SMD or Through Hole | P6KE160A-E3.pdf | |
![]() | L160DT70VI | L160DT70VI AMD BGA | L160DT70VI.pdf | |
![]() | PIII700/100/1MS25/12VSL4XV | PIII700/100/1MS25/12VSL4XV INT CPU | PIII700/100/1MS25/12VSL4XV.pdf | |
![]() | 90X8134ESD | 90X8134ESD IBM MODULE | 90X8134ESD.pdf | |
![]() | 0603 3.3NH 5% | 0603 3.3NH 5% ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 3.3NH 5%.pdf | |
![]() | MV64460-NBAY1 | MV64460-NBAY1 GALILEO BGA | MV64460-NBAY1.pdf | |
![]() | MSP430F413REV | MSP430F413REV TI QFP | MSP430F413REV.pdf | |
![]() | CLC210AM | CLC210AM CLC CAN12 | CLC210AM.pdf |