Rohm Semiconductor RXH125N03TB1

RXH125N03TB1
제조업체 부품 번호
RXH125N03TB1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
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RXH125N03TB1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RXH125N03TB1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RXH125N03 ~
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs12m옴 @ 12.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12.7nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1000pF @ 10V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RXH125N03TB1
관련 링크RXH125N, RXH125N03TB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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