창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW3R5EAR100JE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RW "E" Series Material Declaration | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.1 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 3.5W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 8127 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 함요형 | |
| 크기/치수 | 0.811" L x 0.273" W(20.60mm x 6.93mm) | |
| 높이 | 0.278"(7.06mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW3R5EAR100JE | |
| 관련 링크 | RW3R5EA, RW3R5EAR100JE 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | CC1206JRNPOABN471 | 470pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206JRNPOABN471.pdf | |
![]() | VJ0805D560JLCAC | 56pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D560JLCAC.pdf | |
![]() | AF0603FR-0721KL | RES SMD 21K OHM 1% 1/10W 0603 | AF0603FR-0721KL.pdf | |
![]() | CS524J | CS524J N/A DIP-8 | CS524J.pdf | |
![]() | SM1230-4A1 | SM1230-4A1 NSC SMD or Through Hole | SM1230-4A1.pdf | |
![]() | RPT-38PT | RPT-38PT ROHM SMD or Through Hole | RPT-38PT.pdf | |
![]() | STX112-AP | STX112-AP ST TO-92 | STX112-AP.pdf | |
![]() | R162-183-0002 | R162-183-0002 RADIAL SMD or Through Hole | R162-183-0002.pdf | |
![]() | PIC12F629-I1SN | PIC12F629-I1SN MICROCHI SOP8 | PIC12F629-I1SN.pdf | |
![]() | K2717 2L | K2717 2L ORIGINAL SMD or Through Hole | K2717 2L.pdf | |
![]() | KMBDN000M-S998 | KMBDN000M-S998 SAMSUNG BGA | KMBDN000M-S998.pdf | |
![]() | K4S561632C-TC1H | K4S561632C-TC1H SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S561632C-TC1H.pdf |