창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW3R0DBR015JET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.015 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 3W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 6327 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 함요형 | |
| 크기/치수 | 0.625" L x 0.273" W(15.88mm x 6.93mm) | |
| 높이 | 0.231"(5.87mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | RW3R0DBR015JETR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW3R0DBR015JET | |
| 관련 링크 | RW3R0DBR, RW3R0DBR015JET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1555C2D6R4WB01D | 6.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D6R4WB01D.pdf | |
![]() | LQM18FN2R2M00D | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 120mA 520 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQM18FN2R2M00D.pdf | |
![]() | 2-1415899-5 | RZH3-1C4-D012 | 2-1415899-5.pdf | |
![]() | MS3456L18-1PY | MS3456L18-1PY Amphenol NA | MS3456L18-1PY.pdf | |
![]() | MB87087PF | MB87087PF FUJ SOP16 | MB87087PF.pdf | |
![]() | ELS-512HWA | ELS-512HWA EVERLIGHT DIP | ELS-512HWA.pdf | |
![]() | POES105K035BXP(105x9035b2te3) | POES105K035BXP(105x9035b2te3) VISHAY SMD or Through Hole | POES105K035BXP(105x9035b2te3).pdf | |
![]() | NOSV477M006R007 | NOSV477M006R007 AVX SMD or Through Hole | NOSV477M006R007.pdf | |
![]() | LT963A25 | LT963A25 LT SMD or Through Hole | LT963A25.pdf | |
![]() | MA4E2532M-1113W | MA4E2532M-1113W NULL NULL | MA4E2532M-1113W.pdf | |
![]() | K183HE | K183HE ORIGINAL SMD or Through Hole | K183HE.pdf | |
![]() | PLF5020T-6R8M1R8 | PLF5020T-6R8M1R8 ORIGINAL SMD | PLF5020T-6R8M1R8.pdf |