창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW3R0DB150RJT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMT Power Resistors | |
제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | RW | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 150 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 3W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지 | |
온도 계수 | ±20ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 6327 J-리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 함요형 | |
크기/치수 | 0.625" L x 0.273" W(15.88mm x 6.93mm) | |
높이 | 0.231"(5.87mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RW3R0DB150RJTR RW3R0DB150RJTTR RW3R0DB150RJTTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RW3R0DB150RJT | |
관련 링크 | RW3R0DB, RW3R0DB150RJT 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
Y1633100R000Q9W | RES SMD 100 OHM 0.02% 0.6W 2512 | Y1633100R000Q9W.pdf | ||
RT0805DRE07237RL | RES SMD 237 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07237RL.pdf | ||
UPD7811CW-639 | UPD7811CW-639 NEC DIP | UPD7811CW-639.pdf | ||
C1005NP229BGT | C1005NP229BGT DARFON 0402-2R2C | C1005NP229BGT.pdf | ||
CKR16BR335KS | CKR16BR335KS AVX SMD | CKR16BR335KS.pdf | ||
HY62V8200 | HY62V8200 HYNIX TS0P32 | HY62V8200.pdf | ||
K9K8G08U0A-PCB0T00 | K9K8G08U0A-PCB0T00 Samsung TSOP1 | K9K8G08U0A-PCB0T00.pdf | ||
VC0832PYNA | VC0832PYNA VIMICRO SMD or Through Hole | VC0832PYNA.pdf | ||
NT6865U-30035 | NT6865U-30035 N/A DIP | NT6865U-30035.pdf | ||
TB2173 | TB2173 TOSHIBA P-VQON44-P-0606-0.4 | TB2173.pdf | ||
R76QN2330CK30K | R76QN2330CK30K KEMET SMD or Through Hole | R76QN2330CK30K.pdf | ||
SG2012-3.0XKC3R/TR | SG2012-3.0XKC3R/TR SGMICRO SOT223-3 | SG2012-3.0XKC3R/TR.pdf |