창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW2S0CBR220JET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.22 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 2W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 4122 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 받침용 | |
| 크기/치수 | 0.407" L x 0.226" W(10.34mm x 5.74mm) | |
| 높이 | 0.227"(5.77mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | OHRW2S0CBR220JET OHRW2S0CBR220JET-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW2S0CBR220JET | |
| 관련 링크 | RW2S0CBR, RW2S0CBR220JET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
| SUP75P03-07-E3 | MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB | SUP75P03-07-E3.pdf | ||
![]() | TNPW120637R4BEEA | RES SMD 37.4 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120637R4BEEA.pdf | |
![]() | 741C083514JP | RES ARRAY 4 RES 510K OHM 0804 | 741C083514JP.pdf | |
![]() | DA5613GWA | DA5613GWA NA NA | DA5613GWA.pdf | |
![]() | 2301R1C | 2301R1C RAYTHEON PLCC | 2301R1C.pdf | |
![]() | 1N4742AT9-E | 1N4742AT9-E RENESAS SMD or Through Hole | 1N4742AT9-E.pdf | |
![]() | CD54N-120M | CD54N-120M MEC SMD | CD54N-120M.pdf | |
![]() | KS51850-D2 | KS51850-D2 SAMSUNG SOP | KS51850-D2.pdf | |
![]() | AD5231BRU50-REEL7 | AD5231BRU50-REEL7 AD SMD or Through Hole | AD5231BRU50-REEL7.pdf | |
![]() | SI7SSR0906MT | SI7SSR0906MT HITACHI SMD or Through Hole | SI7SSR0906MT.pdf | |
![]() | BSM681F | BSM681F SIEMENS SMD or Through Hole | BSM681F.pdf | |
![]() | Si91841DT-29-T1-E3 TEL:82766440 | Si91841DT-29-T1-E3 TEL:82766440 VISHAY SMD or Through Hole | Si91841DT-29-T1-E3 TEL:82766440.pdf |