창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW1S0BAR050FT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.05 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 1W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 2512 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 받침용 | |
| 크기/치수 | 0.246" L x 0.136" W(6.25mm x 3.45mm) | |
| 높이 | 0.141"(3.58mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | RW1S0BAR050FTR RW1S0BAR050FTTR RW1S0BAR050FTTR-ND RW1S0F.050TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW1S0BAR050FT | |
| 관련 링크 | RW1S0BA, RW1S0BAR050FT 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C473J8RACTU | 0.047µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C473J8RACTU.pdf | |
![]() | SR075C223KAA | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075C223KAA.pdf | |
![]() | 416F250X2AKT | 25MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X2AKT.pdf | |
![]() | RP73D2A6K65BTDF | RES SMD 6.65K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A6K65BTDF.pdf | |
![]() | DS8921N/NOPB | DS8921N/NOPB NS DIP | DS8921N/NOPB.pdf | |
![]() | MBM27C512P20PF(TSTDTS) | MBM27C512P20PF(TSTDTS) FUJITSU SMD or Through Hole | MBM27C512P20PF(TSTDTS).pdf | |
![]() | C5750JB2A105K | C5750JB2A105K TDK SMD or Through Hole | C5750JB2A105K.pdf | |
![]() | 43CTQ100GS | 43CTQ100GS IR D2-PAK | 43CTQ100GS .pdf | |
![]() | BUK472-50A | BUK472-50A NXP TO-220 | BUK472-50A.pdf | |
![]() | PDTC143ZT.215 | PDTC143ZT.215 NXP SMD or Through Hole | PDTC143ZT.215.pdf | |
![]() | KSB564AG | KSB564AG FAILCHILD TO-92 | KSB564AG.pdf | |
![]() | UPC2406AHF-A2 | UPC2406AHF-A2 NEC TO220F | UPC2406AHF-A2.pdf |