창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW1S0BAR047FET | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMT Power Resistors | |
제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | RW | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 0.047 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 1W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지 | |
온도 계수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 2512 J-리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 받침용 | |
크기/치수 | 0.246" L x 0.136" W(6.25mm x 3.45mm) | |
높이 | 0.141"(3.58mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | RW1S0BAR047FETR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RW1S0BAR047FET | |
관련 링크 | RW1S0BAR, RW1S0BAR047FET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D5R6BLBAC | 5.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R6BLBAC.pdf | |
![]() | NA2-N12-PN | SENSOR PROX 5M PNP 12CH 12-24VDC | NA2-N12-PN.pdf | |
![]() | GM71C18163CJ8 | GM71C18163CJ8 HYUNDAI SOJ | GM71C18163CJ8.pdf | |
![]() | TP0205A-T1-E3 | TP0205A-T1-E3 ORIGINAL SMD or Through Hole | TP0205A-T1-E3.pdf | |
![]() | 7311S-GF-505x | 7311S-GF-505x NDK SMD or Through Hole | 7311S-GF-505x.pdf | |
![]() | AT49LH002-33JC | AT49LH002-33JC ATMEL PLCC-32 | AT49LH002-33JC.pdf | |
![]() | SML-110VT | SML-110VT ROHM ROHS | SML-110VT.pdf | |
![]() | 1210 7.5M J | 1210 7.5M J TASUND SMD or Through Hole | 1210 7.5M J.pdf | |
![]() | MT3S150P(TE12L.F) | MT3S150P(TE12L.F) TOSHIBA SOT89 | MT3S150P(TE12L.F).pdf | |
![]() | FF14-26A-R11A | FF14-26A-R11A DDK SMD or Through Hole | FF14-26A-R11A.pdf | |
![]() | DM415S03 | DM415S03 DONGAH SMD or Through Hole | DM415S03.pdf | |
![]() | AI-5004-8 | AI-5004-8 HARRAS CDIP | AI-5004-8.pdf |