창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW0S6BBR010FET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.01 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.6W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.202" L x 0.100" W(5.14mm x 2.54mm) | |
| 높이 | 0.140"(3.55mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RW0S6BBR010FETTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW0S6BBR010FET | |
| 관련 링크 | RW0S6BBR, RW0S6BBR010FET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | LP151M200C1P3 | 150µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.65 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | LP151M200C1P3.pdf | |
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![]() | LT1764AEFE1.8#PBF | LT1764AEFE1.8#PBF linear SMD or Through Hole | LT1764AEFE1.8#PBF.pdf | |
![]() | SNC54193J | SNC54193J TI DIP16 | SNC54193J.pdf | |
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![]() | SAKC161CS32RFAB | SAKC161CS32RFAB Infineon TQFP128 | SAKC161CS32RFAB.pdf | |
![]() | CES301G90CCB3*3 | CES301G90CCB3*3 ORIGINAL SMD or Through Hole | CES301G90CCB3*3.pdf | |
![]() | NJU7032MZZB | NJU7032MZZB ORIGINAL SMD or Through Hole | NJU7032MZZB.pdf | |
![]() | QS532806ASO | QS532806ASO QS SMD | QS532806ASO.pdf |