창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW0S6BB2R00FET | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMT Power Resistors | |
제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | RW | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 2 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.6W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지 | |
온도 계수 | ±50ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 2010 | |
크기/치수 | 0.202" L x 0.100" W(5.14mm x 2.54mm) | |
높이 | 0.140"(3.55mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RW0S6BB2R00FETTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RW0S6BB2R00FET | |
관련 링크 | RW0S6BB2, RW0S6BB2R00FET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
BZT52C3V9-HE3-18 | DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123 | BZT52C3V9-HE3-18.pdf | ||
IRLR024NTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | IRLR024NTRLPBF.pdf | ||
RG2012N-8251-W-T1 | RES SMD 8.25KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-8251-W-T1.pdf | ||
B20J300E | RES 300 OHM 20W 5% AXIAL | B20J300E.pdf | ||
BA5825FP | BA5825FP ROHM SMD or Through Hole | BA5825FP.pdf | ||
M24512VMW6 | M24512VMW6 ST SOP-8 | M24512VMW6.pdf | ||
FX10A-140P/14-SV1(21) | FX10A-140P/14-SV1(21) HRS SMD or Through Hole | FX10A-140P/14-SV1(21).pdf | ||
SMH450VN82RM25X25T2 | SMH450VN82RM25X25T2 UCC NA | SMH450VN82RM25X25T2.pdf | ||
MACH120-12 JC | MACH120-12 JC AMD PLCC | MACH120-12 JC.pdf | ||
QG88CGM QI37ES | QG88CGM QI37ES INTEL BGA | QG88CGM QI37ES.pdf | ||
ZMMTA43 | ZMMTA43 ST SOT-23 | ZMMTA43.pdf | ||
OJE-SS-109L | OJE-SS-109L OEG SMD or Through Hole | OJE-SS-109L.pdf |