창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW0S6BB100RFET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 100 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.6W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±20ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.202" L x 0.100" W(5.14mm x 2.54mm) | |
| 높이 | 0.140"(3.55mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RW0S8BB100RFET RW0S8BB100RFETTR RW0S8BB100RFETTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW0S6BB100RFET | |
| 관련 링크 | RW0S6BB1, RW0S6BB100RFET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H4R6CA01D | 4.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H4R6CA01D.pdf | |
| DPO-1.0-330 | 330µH Unshielded Toroidal Inductor 1A 193 mOhm Max Radial | DPO-1.0-330.pdf | ||
![]() | 4302-272F | 2.7µH Unshielded Inductor 305mA 1.6 Ohm Max 2-SMD | 4302-272F.pdf | |
![]() | CRCW121039K0JNTA | RES SMD 39K OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW121039K0JNTA.pdf | |
![]() | K512H13ACM-D075 | K512H13ACM-D075 SAMSUNG BGA | K512H13ACM-D075.pdf | |
![]() | KEM5001R | KEM5001R ORIGINAL DIP | KEM5001R.pdf | |
![]() | MC68HC908SR3CP | MC68HC908SR3CP Freescale SMD or Through Hole | MC68HC908SR3CP.pdf | |
![]() | 2SJ361RY | 2SJ361RY HITACHI SOT89 | 2SJ361RY.pdf | |
![]() | CN8330EPJC/28330-11 | CN8330EPJC/28330-11 CONEXANT PLCC68 | CN8330EPJC/28330-11.pdf | |
![]() | BCW61D,215 | BCW61D,215 NXP SMD or Through Hole | BCW61D,215.pdf | |
![]() | TL594IJ | TL594IJ TI CERDIP-16 | TL594IJ.pdf |