창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW0S6BB100RFET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 100 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.6W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±20ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.202" L x 0.100" W(5.14mm x 2.54mm) | |
| 높이 | 0.140"(3.55mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RW0S8BB100RFET RW0S8BB100RFETTR RW0S8BB100RFETTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW0S6BB100RFET | |
| 관련 링크 | RW0S6BB1, RW0S6BB100RFET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H20123RJV | 0.012µF Film Capacitor 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.453" W (23.00mm x 11.50mm) | ECW-H20123RJV.pdf | |
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![]() | TEA7090DP/B | TEA7090DP/B ORIGINAL DIP | TEA7090DP/B.pdf | |
![]() | RJ80536600512SL7GE | RJ80536600512SL7GE INT BGA | RJ80536600512SL7GE.pdf | |
![]() | D1298 | D1298 NEC TO-3P | D1298.pdf | |
![]() | KM68000BLR-7L | KM68000BLR-7L N/A SMD or Through Hole | KM68000BLR-7L.pdf | |
![]() | UPA810TCT | UPA810TCT NEC SOT363 | UPA810TCT.pdf | |
![]() | PIC16F628-04/8 | PIC16F628-04/8 PIC DIP | PIC16F628-04/8.pdf |