홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RV2C010UNT2L

Rohm Semiconductor RV2C010UNT2L

RV2C010UNT2L
제조업체 부품 번호
RV2C010UNT2L
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
데이터 시트 다운로드
다운로드
RV2C010UNT2L 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 52.18837
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RV2C010UNT2L 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RV2C010UNT2L 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RV2C010UNT2L가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RV2C010UNT2L 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RV2C010UNT2L 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RV2C010UNT2L
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RV2C010UN
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs470m옴 @ 500mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds40pF @ 10V
전력 - 최대400mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지VML1006
표준 포장 8,000
다른 이름RV2C010UNT2LTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RV2C010UNT2L
관련 링크RV2C010, RV2C010UNT2L 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RV2C010UNT2L 의 관련 제품
12000µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 9 mOhm 10000 Hrs @ 85°C E37L351CPN123MEJ1M.pdf
RES ARRAY 4 RES 330K OHM 0804 YC124-JR-07330KL.pdf
ANAREN XINGER ANAREN SMD or Through Hole ANAREN XINGER.pdf
LESD9D5.0T5G LRC SMD or Through Hole LESD9D5.0T5G.pdf
0805100J ORIGINAL SMD or Through Hole 0805100J.pdf
ST90402YQ6/IC ST QFP80 ST90402YQ6/IC.pdf
MN103SD2GSC PANASONIC QFP MN103SD2GSC.pdf
AZM100ELT23 AZM SOP-8 AZM100ELT23.pdf
FZ2400R12 EUPEC SMD or Through Hole FZ2400R12.pdf
50V/4.7UF ORIGINAL SMD or Through Hole 50V/4.7UF.pdf
LM118/JG ORIGINAL SMD or Through Hole LM118/JG.pdf