창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RUM002N05T2L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RUM002N05 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.2V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-723 | |
공급 장치 패키지 | VMT3 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | RUM002N05T2L-ND RUM002N05T2LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RUM002N05T2L | |
관련 링크 | RUM002N, RUM002N05T2L 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
CC0805JRNPOABN220 | 22pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPOABN220.pdf | ||
GQM1885C1H160GB01D | 16pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1885C1H160GB01D.pdf | ||
LTR10EZPJ390 | RES SMD 39 OHM 1/4W 0805 WIDE | LTR10EZPJ390.pdf | ||
DSA321SC/19.2MHz/1XTV19200UJA | DSA321SC/19.2MHz/1XTV19200UJA KDS 3.2 2.5 1.0MM | DSA321SC/19.2MHz/1XTV19200UJA.pdf | ||
VJ0805Y393KXACW1BC | VJ0805Y393KXACW1BC VISHAY SMD or Through Hole | VJ0805Y393KXACW1BC.pdf | ||
ICS87339AM-01LF | ICS87339AM-01LF IDT 20-SOIC | ICS87339AM-01LF.pdf | ||
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MAX17103ETJ | MAX17103ETJ MAXIM QFN | MAX17103ETJ.pdf | ||
0805 1UH 180mA | 0805 1UH 180mA Tai-Tech SMD or Through Hole | 0805 1UH 180mA.pdf | ||
IS42S16160D-75T | IS42S16160D-75T ISSI TSOP54 | IS42S16160D-75T.pdf | ||
SC422601P | SC422601P MOT DIP | SC422601P.pdf | ||
BD9560MUV | BD9560MUV ROHM SMD or Through Hole | BD9560MUV.pdf |