창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RUM001L02T2CL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RUM001L02 Packaging Info for Transistors P/N Explanation for Transistors Product Catalog - Mosfets | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.2V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 100mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7.1pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | VMT3 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | RUM001L02T2CL-ND RUM001L02T2CLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RUM001L02T2CL | |
| 관련 링크 | RUM001L, RUM001L02T2CL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 3412.0121.24 | FUSE BOARD MNT 3A 32VAC/VDC 0603 | 3412.0121.24.pdf | |
![]() | PCF8583T/5,518(PB FREE) | PCF8583T/5,518(PB FREE) NXP SOP-8 | PCF8583T/5,518(PB FREE).pdf | |
![]() | xcv300fg456afp | xcv300fg456afp XC BGA456 | xcv300fg456afp.pdf | |
![]() | AD9280ARS. | AD9280ARS. ADI SSOP | AD9280ARS..pdf | |
![]() | MGDSI-35-H-E | MGDSI-35-H-E GAIA SMD or Through Hole | MGDSI-35-H-E.pdf | |
![]() | CAT1021LI25 | CAT1021LI25 CatalystSemicondu SMD or Through Hole | CAT1021LI25.pdf | |
![]() | S-1711A1828-16T1G | S-1711A1828-16T1G SEIKO SOT-6 | S-1711A1828-16T1G.pdf | |
![]() | HYI39S128160FE-7 | HYI39S128160FE-7 QIMONDA TSOP | HYI39S128160FE-7.pdf | |
![]() | R30-3002002 | R30-3002002 HARWIN SMD or Through Hole | R30-3002002.pdf | |
![]() | K6T1008C2E-G870 | K6T1008C2E-G870 SAMSUNG SOP32 | K6T1008C2E-G870.pdf |