창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RUE003N02TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RUE003N02 ~ | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 300mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | EMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RUE003N02TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RUE003N02TL | |
관련 링크 | RUE003, RUE003N02TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
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GRM2165C2A332JA01D | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C2A332JA01D.pdf | ||
0505012.MXEP | FUSE CERM 12A 450VAC 250VDC 3AB | 0505012.MXEP.pdf | ||
SMBG24CA-E3/5B | TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMB | SMBG24CA-E3/5B.pdf | ||
7V-27.000MAHE-T | 27MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-27.000MAHE-T.pdf | ||
CRCW0603422RFKEB | RES SMD 422 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603422RFKEB.pdf | ||
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1812 24V/0.75A | 1812 24V/0.75A raychem SMD or Through Hole | 1812 24V/0.75A.pdf | ||
964572-1 | 964572-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 964572-1.pdf | ||
E01A85CA | E01A85CA EPSON BGA | E01A85CA.pdf | ||
P87LPC932F | P87LPC932F PHI TSOP-3.9-28P | P87LPC932F.pdf |