창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RUE003N02TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RUE003N02 ~ | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 300mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RUE003N02TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RUE003N02TL | |
| 관련 링크 | RUE003, RUE003N02TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT0402DRD074R7L | RES SMD 4.7 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD074R7L.pdf | |
![]() | 73267 | 73267 HARRIS SMD or Through Hole | 73267.pdf | |
![]() | SC435727CFU | SC435727CFU ORIGINAL QFP64 | SC435727CFU.pdf | |
![]() | CXA3662R | CXA3662R SONY QFP | CXA3662R.pdf | |
![]() | TB1227AN | TB1227AN TOHS DIP | TB1227AN.pdf | |
![]() | PCD8582D-2P | PCD8582D-2P PHI DIP | PCD8582D-2P.pdf | |
![]() | 2222 048 31471 | 2222 048 31471 VISHAY/BC DIP-2 | 2222 048 31471.pdf | |
![]() | M6371 | M6371 M QFP | M6371.pdf | |
![]() | 44.0412MHz | 44.0412MHz ORIGINAL SMD or Through Hole | 44.0412MHz.pdf | |
![]() | CBG100505U121T | CBG100505U121T Fenghua SMD | CBG100505U121T.pdf | |
![]() | 1210N392G201NTM | 1210N392G201NTM NOVACAP SMD | 1210N392G201NTM.pdf |