창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RUE003N02TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RUE003N02 ~ | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 300mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RUE003N02TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RUE003N02TL | |
| 관련 링크 | RUE003, RUE003N02TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC30A-M3/57T | TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC SMCJ | 1.5SMC30A-M3/57T.pdf | |
| CDLL4454 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | CDLL4454.pdf | ||
![]() | BUK7880-55A/CUX | MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 | BUK7880-55A/CUX.pdf | |
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![]() | HE2D477M30025HA180 | HE2D477M30025HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2D477M30025HA180.pdf | |
![]() | C4304TE104 | C4304TE104 KOA SMD or Through Hole | C4304TE104.pdf | |
![]() | BAS125-05W E6327 | BAS125-05W E6327 ORIGINAL SMD or Through Hole | BAS125-05W E6327.pdf | |
![]() | CZB1JSTTD100P | CZB1JSTTD100P KOA SMD or Through Hole | CZB1JSTTD100P.pdf |