창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RTL030P02TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RTL030P02 ~ | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RTL030P02TR | |
관련 링크 | RTL030, RTL030P02TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
80D472P035KB2DE3 | 4700µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | 80D472P035KB2DE3.pdf | ||
SMH63VS103M35X40T2 | 10000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 25 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMH63VS103M35X40T2.pdf | ||
VJ0805D131KXPAT | 130pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D131KXPAT.pdf | ||
2SC4944-GR(TE85L,F | TRANS NPN 50V 0.15A USV | 2SC4944-GR(TE85L,F.pdf | ||
S0603-22NH3E | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 220 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-22NH3E.pdf | ||
RSE116677 | LOW PROFILE, 4 POLE/10 AMP, WC | RSE116677.pdf | ||
XC78160J4 | XC78160J4 MOT DIP16 | XC78160J4.pdf | ||
MMSZ8V2T10 | MMSZ8V2T10 ON SMD or Through Hole | MMSZ8V2T10.pdf | ||
CV1A151MAMAN9/10V/150UF/E | CV1A151MAMAN9/10V/150UF/E ORIGINAL E | CV1A151MAMAN9/10V/150UF/E.pdf | ||
V040ME01 | V040ME01 ZCOMM SMD or Through Hole | V040ME01.pdf | ||
85655 | 85655 MURR SMD or Through Hole | 85655.pdf |