창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RTL020P02TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RTL020P02 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.9nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RTL020P02TR | |
| 관련 링크 | RTL020, RTL020P02TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 08052A101JAT4A | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08052A101JAT4A.pdf | |
![]() | 0675.100DRT4P | FUSE CERAMIC 100MA 250VAC AXIAL | 0675.100DRT4P.pdf | |
![]() | 7B14300101 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B14300101.pdf | |
![]() | MP4-2U-1I-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-2U-1I-00.pdf | |
![]() | IDT72V3660L10PFI | IDT72V3660L10PFI IDT SMD or Through Hole | IDT72V3660L10PFI.pdf | |
![]() | 1571B | 1571B ORIGINAL NEW | 1571B.pdf | |
![]() | M27V101-100F1 | M27V101-100F1 ST SMD or Through Hole | M27V101-100F1.pdf | |
![]() | TA8876FAER | TA8876FAER TOSHIBA SMD or Through Hole | TA8876FAER.pdf | |
![]() | 24C08ANSU27 | 24C08ANSU27 ORIGINAL DIP | 24C08ANSU27.pdf | |
![]() | 74HC573N NXP | 74HC573N NXP NXP DIP30 | 74HC573N NXP.pdf | |
![]() | ST15118 | ST15118 ST SOP28 | ST15118.pdf | |
![]() | KCO277016FJ0812W | KCO277016FJ0812W SAMWHA SMD | KCO277016FJ0812W.pdf |