창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RTF020P02TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RTF020P02 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RTF020P02TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RTF020P02TL | |
| 관련 링크 | RTF020, RTF020P02TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 173D565X0004UWE3 | 5.6µF Molded Tantalum Capacitors 4V Axial 0.095" Dia x 0.260" L (2.41mm x 6.60mm) | 173D565X0004UWE3.pdf | |
![]() | SIT8009AC-13-18E-125.000000D | OSC XO 1.8V 125MHZ OE | SIT8009AC-13-18E-125.000000D.pdf | |
![]() | RC2512FK-07536RL | RES SMD 536 OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-07536RL.pdf | |
![]() | M4LV128/647VC10VI | M4LV128/647VC10VI AMD PQFP | M4LV128/647VC10VI.pdf | |
![]() | MTT40M06N | MTT40M06N SIEMENS MODULE | MTT40M06N.pdf | |
![]() | 82801ER | 82801ER IN BGA | 82801ER.pdf | |
![]() | SYV-4-20MA-P | SYV-4-20MA-P ORIGINAL IGBT | SYV-4-20MA-P.pdf | |
![]() | LM6209MT | LM6209MT National NULL | LM6209MT.pdf | |
![]() | HFBR1462T | HFBR1462T AGILENT SMD or Through Hole | HFBR1462T.pdf | |
![]() | FS10R06XE3ENG | FS10R06XE3ENG EUPEC SMD or Through Hole | FS10R06XE3ENG.pdf | |
![]() | XIO2200AGW | XIO2200AGW TI SMD or Through Hole | XIO2200AGW.pdf |