창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RTA02-4D620JTH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RTA02-4D620JTH | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RTA02-4D620JTH | |
| 관련 링크 | RTA02-4D, RTA02-4D620JTH 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | KXG200VB22RM10X20LL | 22µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | KXG200VB22RM10X20LL.pdf | |
![]() | WKO332MCPLD0KR | 3300pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.591" Dia(15.00mm) | WKO332MCPLD0KR.pdf | |
![]() | CX3225GB12000D0HEQZ1 | 12MHz ±20ppm 수정 8pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB12000D0HEQZ1.pdf | |
![]() | TNPW201052R3BEEY | RES SMD 52.3 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201052R3BEEY.pdf | |
![]() | 216DCJDAFA22E M6-C16H | 216DCJDAFA22E M6-C16H ATI BGA | 216DCJDAFA22E M6-C16H.pdf | |
![]() | F1205D-1W = NN1-12D05D3 | F1205D-1W = NN1-12D05D3 SANGMEI DIP | F1205D-1W = NN1-12D05D3.pdf | |
![]() | MCESL50V107M8X10.5 | MCESL50V107M8X10.5 Multicomp SMD | MCESL50V107M8X10.5.pdf | |
![]() | S1N6857-1 | S1N6857-1 CDI SMD | S1N6857-1.pdf | |
![]() | GS-104 | GS-104 GOOT SMD or Through Hole | GS-104.pdf | |
![]() | K11024 SIF | K11024 SIF SAMAUNG DIP | K11024 SIF.pdf | |
![]() | 2SD1903-R | 2SD1903-R SANYO TO-263(D2PAK) | 2SD1903-R.pdf | |
![]() | O.1 n- - 4.7 M | O.1 n- - 4.7 M TY SMD or Through Hole | O.1 n- - 4.7 M.pdf |