창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RT9178-33PM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RT9178-33PM | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-263 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RT9178-33PM | |
| 관련 링크 | RT9178, RT9178-33PM 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | AR155C104K4R | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | AR155C104K4R.pdf | |
![]() | 06035C183MAT2A | 0.018µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C183MAT2A.pdf | |
![]() | VJ1210A560JBLAT4X | 56pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A560JBLAT4X.pdf | |
![]() | STB7N52K3 | MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK | STB7N52K3.pdf | |
![]() | CiP3250APSB1 | CiP3250APSB1 Micronas SMD or Through Hole | CiP3250APSB1.pdf | |
![]() | LP121SB | LP121SB ORIGINAL SMD or Through Hole | LP121SB.pdf | |
![]() | TCSVS0G106MAAR | TCSVS0G106MAAR SAMSUNG SMD | TCSVS0G106MAAR.pdf | |
![]() | SAM448-20L | SAM448-20L WSI SMD or Through Hole | SAM448-20L.pdf | |
![]() | BASL4.5W-K-TN | BASL4.5W-K-TN ORIGINAL SMD or Through Hole | BASL4.5W-K-TN.pdf | |
![]() | FGL25N120RUFD | FGL25N120RUFD FSC TO-3PL | FGL25N120RUFD.pdf | |
![]() | AXR35371P | AXR35371P ORIGINAL SMD or Through Hole | AXR35371P.pdf | |
![]() | 32CS-380NB-R10M | 32CS-380NB-R10M TOKO 1210-R10M | 32CS-380NB-R10M.pdf |