창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RT5N131C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RT5N131C | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT23 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RT5N131C | |
| 관련 링크 | RT5N, RT5N131C 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| .jpg) | 102S42E220JV4E | 22pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E220JV4E.pdf | |
|  | MA-406 12.0000M-C3:ROHS | 12MHz ±50ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-406 12.0000M-C3:ROHS.pdf | |
|  | SIT3808AI-2-18SG | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Standby | SIT3808AI-2-18SG.pdf | |
|  | ASPI-8040S-101M-T | 100µH Shielded Wirewound Inductor 1A 290 mOhm Nonstandard | ASPI-8040S-101M-T.pdf | |
|  | CXA1855Q-T6 | CXA1855Q-T6 SONY PQFQ-48 | CXA1855Q-T6.pdf | |
|  | LTC6079CGN#PBF | LTC6079CGN#PBF LINEAR SSOP16 | LTC6079CGN#PBF.pdf | |
|  | T356J227K003AS | T356J227K003AS KEMET DIP | T356J227K003AS.pdf | |
|  | ME1678A33 | ME1678A33 ME SMD or Through Hole | ME1678A33.pdf | |
|  | 51CDR2 | 51CDR2 ON SOP | 51CDR2.pdf | |
|  | ECJ2FB1A106M | ECJ2FB1A106M pan SMD | ECJ2FB1A106M.pdf | |
|  | MG100Q2YS50A | MG100Q2YS50A TOSHIBA SMD or Through Hole | MG100Q2YS50A.pdf | |
|  | EGG1B303NNL | EGG1B303NNL LENO SMD or Through Hole | EGG1B303NNL.pdf |