창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RT2512FKE07634KL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RT Series | |
주요제품 | RT Series Thin Film Chip Resistors | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | RT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 634k | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.75W, 3/4W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 내습성 | |
온도 계수 | ±50ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
패키지/케이스 | 2512(6432 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 2512 | |
크기/치수 | 0.250" L x 0.126" W(6.35mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.026"(0.65mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RT2512FKE07634KL | |
관련 링크 | RT2512FKE, RT2512FKE07634KL 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
![]() | SIHB20N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 19A TO-263 | SIHB20N50E-GE3.pdf | |
![]() | RG1005N-1051-D-T10 | RES SMD 1.05KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-1051-D-T10.pdf | |
![]() | Y006215R0000B0L | RES 15 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y006215R0000B0L.pdf | |
![]() | LT5518EUF#TR | LT5518EUF#TR ORIGINAL QFN16 | LT5518EUF#TR .pdf | |
![]() | K7A403609B-QC20000 | K7A403609B-QC20000 SAMSUNG QFP100 | K7A403609B-QC20000.pdf | |
![]() | 175778-6 | 175778-6 AMP SMD or Through Hole | 175778-6.pdf | |
![]() | MBR1010 | MBR1010 HY SMD or Through Hole | MBR1010.pdf | |
![]() | BAT165W | BAT165W PHILIPS SOD-323 | BAT165W.pdf | |
![]() | EZ9S | EZ9S ST SOT223 | EZ9S.pdf | |
![]() | LP082006+A2442AW | LP082006+A2442AW AVX SMD or Through Hole | LP082006+A2442AW.pdf | |
![]() | CY62128VLL-552AI | CY62128VLL-552AI CY TSSOP | CY62128VLL-552AI.pdf | |
![]() | EME350GBB22GTD | EME350GBB22GTD AMD BGA | EME350GBB22GTD.pdf |