창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RT1C060UNTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RT1C060UN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 650mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSST | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RT1C060UNTRTR RT1C060UNTRTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RT1C060UNTR | |
| 관련 링크 | RT1C06, RT1C060UNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 2440CDCC2A2 | 2440CDCC2A2 ST QFP | 2440CDCC2A2.pdf | |
![]() | EPF8282AETC100-4 | EPF8282AETC100-4 ALTERA QFP | EPF8282AETC100-4.pdf | |
![]() | 75003SE | 75003SE INTERSIL SSOP- | 75003SE.pdf | |
![]() | MB3800PNF-EF-E1 | MB3800PNF-EF-E1 FUJITSU SMD or Through Hole | MB3800PNF-EF-E1.pdf | |
![]() | LH79524NOM100AO | LH79524NOM100AO ORIGINAL SMD or Through Hole | LH79524NOM100AO.pdf | |
![]() | NTH069C15.3600 | NTH069C15.3600 AVN OSC | NTH069C15.3600.pdf | |
![]() | xlb08 | xlb08 HY SMD or Through Hole | xlb08.pdf | |
![]() | NJM386DE | NJM386DE JRC DIP | NJM386DE.pdf | |
![]() | NB4L859MFAG | NB4L859MFAG ORIGINAL SMD or Through Hole | NB4L859MFAG.pdf | |
![]() | T33L3232A-6T | T33L3232A-6T tmTECH QFP | T33L3232A-6T.pdf | |
![]() | CTU-14R | CTU-14R ORIGINAL TO- | CTU-14R.pdf | |
![]() | ELXV250ESS182MK35S | ELXV250ESS182MK35S NIPPON SMD | ELXV250ESS182MK35S.pdf |