Rohm Semiconductor RT1A060APTR

RT1A060APTR
제조업체 부품 번호
RT1A060APTR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
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내부 부품 번호EIS-RT1A060APTR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RT1A060AP
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs19m옴 @ 6A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7800pF @ 6V
전력 - 최대600mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지8-TSST
표준 포장 3,000
다른 이름RT1A060APTRTR
RT1A060APTRTR-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RT1A060APTR
관련 링크RT1A06, RT1A060APTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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