창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RT1401B6TR7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DDR SDRAM Terminator | |
제품 교육 모듈 | ClearONE Ball Grid Array Network Terminators | |
주요제품 | SMT Resistor and Resistor Networks | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
제조업체 | CTS Resistor Products | |
계열 | ClearONE™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
회로 유형 | 이중 종단기 | |
저항(옴) | 22, 25 | |
허용 오차 | ±1% | |
저항기 개수 | 18 | |
핀 개수 | 27 | |
소자별 전력 | 50mW | |
온도 계수 | ±200ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | DDR SDRAM | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 27-LBGA | |
공급 장치 패키지 | 27-BGA(11.4x3.8) | |
크기/치수 | 0.450" L x 0.150" W(11.43mm x 3.81mm) | |
높이 | 0.058"(1.47mm) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RT1401B6R7 RT1401B6R7TR RT1401B6R7TR-ND RT1401B6TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RT1401B6TR7 | |
관련 링크 | RT1401, RT1401B6TR7 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F40611AST | 40.61MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40611AST.pdf | |
![]() | CSRN2010FT75L0 | RES SMD 0.075 OHM 1% 1W 2010 | CSRN2010FT75L0.pdf | |
![]() | PTN1206E4120BST1 | RES SMD 412 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E4120BST1.pdf | |
![]() | DS1859B-050+T | DS1859B-050+T MAXIM 16CSBGA | DS1859B-050+T.pdf | |
![]() | Y210EHAZ | Y210EHAZ NAIS/COSMO DIP SOP | Y210EHAZ.pdf | |
![]() | DRX3926KA3 | DRX3926KA3 MICRONAS QFN | DRX3926KA3.pdf | |
![]() | EDEW-1LA5-U2V4V02 | EDEW-1LA5-U2V4V02 EDISON SMD or Through Hole | EDEW-1LA5-U2V4V02.pdf | |
![]() | FH26-17S-0.3SHW 05 | FH26-17S-0.3SHW 05 HRS SMD or Through Hole | FH26-17S-0.3SHW 05.pdf | |
![]() | HN3C10FE | HN3C10FE TOSHIBA ES6 | HN3C10FE.pdf | |
![]() | 85HFLR60S02 | 85HFLR60S02 VISHAY DO-5 | 85HFLR60S02.pdf | |
![]() | 1X1402GEN6 | 1X1402GEN6 SHARP QFP2020-100 | 1X1402GEN6.pdf |