창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RT1210DRD07182RL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RT Series | |
| 주요제품 | RT Series Thin Film Chip Resistors | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Yageo | |
| 계열 | RT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 182 | |
| 허용 오차 | ±0.5% | |
| 전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1210 | |
| 크기/치수 | 0.122" L x 0.102" W(3.10mm x 2.60mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RT1210DRD07182RL | |
| 관련 링크 | RT1210DRD, RT1210DRD07182RL 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 | |
![]() | 3.6ABCNA6.3 | FUSE 3.6KV 6.3A 1410 | 3.6ABCNA6.3.pdf | |
![]() | 445W25K24M00000 | 24MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25K24M00000.pdf | |
![]() | SRR0603-680KL | 68µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 900 mOhm Max Nonstandard | SRR0603-680KL.pdf | |
![]() | R6102P | R6102P ORIGINAL DIP | R6102P.pdf | |
![]() | 8831EPA | 8831EPA IMP DIP40 | 8831EPA.pdf | |
![]() | K5W2G1HACI-BP50 | K5W2G1HACI-BP50 SAMSUNG FBGA | K5W2G1HACI-BP50.pdf | |
![]() | 1718410 | 1718410 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1718410.pdf | |
![]() | 3DD70F | 3DD70F CHINA SMD or Through Hole | 3DD70F.pdf | |
![]() | EB3911-04S3GR | EB3911-04S3GR EPI SMD or Through Hole | EB3911-04S3GR.pdf | |
![]() | IR650-850(50%) | IR650-850(50%) HRGD 8.88.20.55 | IR650-850(50%).pdf | |
![]() | P105070C2 | P105070C2 TI TQFP | P105070C2.pdf | |
![]() | XL2576S-3.3VE1 | XL2576S-3.3VE1 ORIGINAL TO263-5L | XL2576S-3.3VE1.pdf |