창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RT0402DRD075K1L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RT Series | |
| 제품 교육 모듈 | Chip Resistor | |
| 주요제품 | Yageo - Thin-Film Chip Resistors RT Series Thin Film Chip Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Yageo | |
| 계열 | RT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 5.1k | |
| 허용 오차 | ±0.5% | |
| 전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0402 | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 | 0.014"(0.35mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RT0402DRD075K1L | |
| 관련 링크 | RT0402DRD, RT0402DRD075K1L 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 | |
![]() | T95Z336M010HSSL | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 2910 (7227 Metric) 400 mOhm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | T95Z336M010HSSL.pdf | |
![]() | 425F22A018M4320 | 18.432MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F22A018M4320.pdf | |
![]() | RG2012P-432-B-T5 | RES SMD 4.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-432-B-T5.pdf | |
![]() | 684K400F11L4 | 684K400F11L4 KEMET SMD or Through Hole | 684K400F11L4.pdf | |
![]() | MM14514BCN(CD4514BCN) | MM14514BCN(CD4514BCN) NATIONAL IC | MM14514BCN(CD4514BCN).pdf | |
![]() | TAS5110D1D | TAS5110D1D ORIGINAL CLCC | TAS5110D1D.pdf | |
![]() | 24.00000MHZ | 24.00000MHZ KSS PDIP-8 | 24.00000MHZ.pdf | |
![]() | UDZ3V0B | UDZ3V0B DIODES SMD or Through Hole | UDZ3V0B.pdf | |
![]() | XR16M654IV64-F | XR16M654IV64-F EXAR SMD or Through Hole | XR16M654IV64-F.pdf | |
![]() | MB88514B-642N | MB88514B-642N FUJ DIP 64 | MB88514B-642N.pdf | |
![]() | 2SA4116-GR | 2SA4116-GR TOSHIBA SOT-23 | 2SA4116-GR.pdf | |
![]() | FTS-120-02-F-DV-P | FTS-120-02-F-DV-P MAXIM QFP | FTS-120-02-F-DV-P.pdf |