창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RSS070N05FU6TB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RSS070N05 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1632 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 45V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.8nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RSS070N05FU6TBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RSS070N05FU6TB | |
관련 링크 | RSS070N0, RSS070N05FU6TB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
0402YC222JAT2A | 2200pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 0402YC222JAT2A.pdf | ||
VJ1808A330KBRAT4X | 33pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A330KBRAT4X.pdf | ||
1.5KE33C | TVS DIODE 28.2VWM 47.99VC AXIAL | 1.5KE33C.pdf | ||
416F4061XCTR | 40.61MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4061XCTR.pdf | ||
M34302M8-213SP | M34302M8-213SP MITSUBISHI DIP | M34302M8-213SP.pdf | ||
UJA1065TW/3V0/C/T | UJA1065TW/3V0/C/T NXP HTSSOP-32 | UJA1065TW/3V0/C/T.pdf | ||
SMD282416310T | SMD282416310T WIM SMD or Through Hole | SMD282416310T.pdf | ||
BC636.126 | BC636.126 NXP SMD or Through Hole | BC636.126.pdf | ||
74S2019S20 | 74S2019S20 FAI DIP | 74S2019S20.pdf | ||
MJ-15.360-12P | MJ-15.360-12P MEC SMD or Through Hole | MJ-15.360-12P.pdf | ||
C313 | C313 RICOH TSSOP8 | C313.pdf | ||
P487A04 | P487A04 ORIGINAL SOT | P487A04.pdf |