창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSS065N03FU6TB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSS065N03 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSS065N03FU6TB | |
| 관련 링크 | RSS065N0, RSS065N03FU6TB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | S0603-47NJ3B | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 310 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-47NJ3B.pdf | |
![]() | 108R-563GS | 56µH Unshielded Inductor 33mA 23 Ohm Max 2-SMD | 108R-563GS.pdf | |
![]() | A82C252T | A82C252T ORIGINAL SMD or Through Hole | A82C252T.pdf | |
![]() | RF250-800 | RF250-800 ORIGINAL DIP | RF250-800.pdf | |
![]() | XC3164PA-5 | XC3164PA-5 XILINX PLCC84 | XC3164PA-5.pdf | |
![]() | HC1-5502AB086-001 | HC1-5502AB086-001 HARRIS SMD or Through Hole | HC1-5502AB086-001.pdf | |
![]() | PMEG3005AEA.115 | PMEG3005AEA.115 NXP SMD or Through Hole | PMEG3005AEA.115.pdf | |
![]() | HF105F-1-009D-1HS | HF105F-1-009D-1HS ORIGINAL SMD or Through Hole | HF105F-1-009D-1HS.pdf | |
![]() | CMS8-A0B3C3-60-10.0D18 | CMS8-A0B3C3-60-10.0D18 CARDINAL 3X9-DIP2PINCMS8 | CMS8-A0B3C3-60-10.0D18.pdf | |
![]() | D70108-10 | D70108-10 NEC PLCC44 | D70108-10.pdf | |
![]() | GL8S156 | GL8S156 SHARP DIP | GL8S156.pdf |