창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSS040P03TB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSS040P03 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | RSS040P03TBCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSS040P03TB | |
| 관련 링크 | RSS040, RSS040P03TB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | ISPLSI2032VE135LJ44B6 PLCC | ISPLSI2032VE135LJ44B6 PLCC LATTICE PLCC-44P | ISPLSI2032VE135LJ44B6 PLCC.pdf | |
![]() | NRT226M16R12 | NRT226M16R12 NEC SMD or Through Hole | NRT226M16R12.pdf | |
![]() | MG8G6EM1(8A600V) | MG8G6EM1(8A600V) TOSHIBA SMD or Through Hole | MG8G6EM1(8A600V).pdf | |
![]() | CPCC1100V47P | CPCC1100V47P BCC SMD or Through Hole | CPCC1100V47P.pdf |