창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RSR010N10TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RSR010N10 | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 540mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-96 | |
공급 장치 패키지 | TSMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RSR010N10TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RSR010N10TL | |
관련 링크 | RSR010, RSR010N10TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 1812GC102KAT2A | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC102KAT2A.pdf | |
![]() | SIT8208AI-8F-33E-64.000000T | OSC XO -40 TO 85C 7050 64MHZ OE | SIT8208AI-8F-33E-64.000000T.pdf | |
![]() | MW6S010NR1 | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 | MW6S010NR1.pdf | |
![]() | 046239022001800+ | 046239022001800+ KYOCERA 22P | 046239022001800+.pdf | |
![]() | M35044-001SP | M35044-001SP MITSUBISHI DIP | M35044-001SP.pdf | |
![]() | 293D226X9004C2T | 293D226X9004C2T Sprague ChipTantalumCapaci | 293D226X9004C2T.pdf | |
![]() | RCR1554SI | RCR1554SI INNOVA SMD or Through Hole | RCR1554SI.pdf | |
![]() | RBV2502G | RBV2502G SANKEN RBV-15 | RBV2502G.pdf | |
![]() | 2SC3124(TE85L) | 2SC3124(TE85L) TOSHIBA SOT-23 | 2SC3124(TE85L).pdf | |
![]() | TEM3-1212 | TEM3-1212 TRACO SMD or Through Hole | TEM3-1212.pdf | |
![]() | EM5323230-6 | EM5323230-6 ORIGINAL QFP | EM5323230-6.pdf |