창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSJ800N06TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | RSJ800N06TLTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 공급 장치 패키지 | LPTS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSJ800N06TL | |
| 관련 링크 | RSJ800, RSJ800N06TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTFL-66.666MHZ-XK-E-T | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-66.666MHZ-XK-E-T.pdf | |
![]() | ST88C92IJ | ST88C92IJ EXAR PLCC44 | ST88C92IJ.pdf | |
![]() | SP5658S-A | SP5658S-A GPS SOP-16 | SP5658S-A.pdf | |
![]() | P3056CD | P3056CD NIKO TO-252 | P3056CD.pdf | |
![]() | S579154PZ-TEB | S579154PZ-TEB TI TQFP | S579154PZ-TEB.pdf | |
![]() | 8200pF (GRM40 X7R 822K 50PT) | 8200pF (GRM40 X7R 822K 50PT) INFNEON SMD or Through Hole | 8200pF (GRM40 X7R 822K 50PT).pdf | |
![]() | E28F200BVT60ES | E28F200BVT60ES INTEL TSSOP-56 | E28F200BVT60ES.pdf | |
![]() | 2N317B | 2N317B ORIGINAL CAN | 2N317B.pdf | |
![]() | 212BG | 212BG ORIGINAL NEW | 212BG.pdf | |
![]() | LFP151G9B089B852-000 | LFP151G9B089B852-000 ORIGINAL SMD or Through Hole | LFP151G9B089B852-000.pdf | |
![]() | X9314WSI | X9314WSI INTERSIL SOP-8 | X9314WSI.pdf |