창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSJ151P10TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSJ151P10 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 공급 장치 패키지 | LPTS(SC-83) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | RSJ151P10TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSJ151P10TL | |
| 관련 링크 | RSJ151, RSJ151P10TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AQ137M620JA1ME | 62pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ137M620JA1ME.pdf | |
![]() | WA04P012XDTL | RF Attenuator 12dB ±0.8dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 100mW 0404 (1010 Metric), Concave | WA04P012XDTL.pdf | |
![]() | 22UF25V D | 22UF25V D AVX/KEMET/NEC/NICHCON SMD or Through Hole | 22UF25V D.pdf | |
![]() | GP1UXC12RKS | GP1UXC12RKS SHARP DIP-3 | GP1UXC12RKS.pdf | |
![]() | 745078-4 | 745078-4 TYCO con | 745078-4.pdf | |
![]() | SDA-100 | SDA-100 TDK 8SMD | SDA-100.pdf | |
![]() | QMT08-144S-021 | QMT08-144S-021 DPT QFP | QMT08-144S-021.pdf | |
![]() | NACVF3R3M450V10X18TR13T2F | NACVF3R3M450V10X18TR13T2F NICComponents SMD or Through Hole | NACVF3R3M450V10X18TR13T2F.pdf | |
![]() | TALN-H202T(pb free) | TALN-H202T(pb free) ORIGINAL SMD or Through Hole | TALN-H202T(pb free).pdf | |
![]() | VG026CHXTB500K | VG026CHXTB500K HDK 2X2 | VG026CHXTB500K.pdf | |
![]() | MSM6502B-120GS-K | MSM6502B-120GS-K OKI QFP | MSM6502B-120GS-K.pdf |