창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RSF014N03TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RSF014N03 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RSF014N03TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RSF014N03TL | |
관련 링크 | RSF014, RSF014N03TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RCP1206B36R0JEA | RES SMD 36 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B36R0JEA.pdf | |
![]() | RNF12FTC1K50 | RES 1.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC1K50.pdf | |
![]() | 251801-1420 | 251801-1420 D QFP | 251801-1420.pdf | |
![]() | C100-45G | C100-45G KPX SMD or Through Hole | C100-45G.pdf | |
![]() | DS28E02Q-W01+7T | DS28E02Q-W01+7T MAXIM QFN | DS28E02Q-W01+7T.pdf | |
![]() | RS40714 | RS40714 ORIGINAL SMD or Through Hole | RS40714.pdf | |
![]() | LD1117AG-2.5V-A | LD1117AG-2.5V-A UTC SOT223T R | LD1117AG-2.5V-A.pdf | |
![]() | MACH5256 160-10YC-12YI | MACH5256 160-10YC-12YI AMD SMD or Through Hole | MACH5256 160-10YC-12YI.pdf | |
![]() | GPCR03B | GPCR03B ORIGINAL SMD or Through Hole | GPCR03B.pdf | |
![]() | TEA5112 | TEA5112 ORIGINAL IC | TEA5112.pdf | |
![]() | HEC4066BDB | HEC4066BDB PHI CDIP14 | HEC4066BDB.pdf | |
![]() | XC3S400FGG320-4C | XC3S400FGG320-4C XILINX BGA | XC3S400FGG320-4C.pdf |