창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSF010P05TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSF010P05 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 45V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 460m옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.3nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 160pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSF010P05TL | |
| 관련 링크 | RSF010, RSF010P05TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTFL-66.666MHZ-ZJ-E-T3 | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-66.666MHZ-ZJ-E-T3.pdf | |
![]() | ZXMN3A01E6TA | MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6 | ZXMN3A01E6TA.pdf | |
![]() | RSL112105-S | STAINLESS STEEL ALTERNATIVE | RSL112105-S.pdf | |
![]() | AC0402FR-0748K7L | RES SMD 48.7K OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-0748K7L.pdf | |
![]() | RT1206CRB072K8L | RES SMD 2.8K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB072K8L.pdf | |
![]() | LTP-305Y | LTP-305Y LITEON ROHS | LTP-305Y.pdf | |
![]() | 80100-00046 | 80100-00046 M/A-COM QFN-16P | 80100-00046.pdf | |
![]() | TA75358F-TP1 | TA75358F-TP1 TOS SOP 8 | TA75358F-TP1.pdf | |
![]() | 3DR16320B25EBLI | 3DR16320B25EBLI ISS SMD or Through Hole | 3DR16320B25EBLI.pdf | |
![]() | SR201A101GAR | SR201A101GAR AVX DIP | SR201A101GAR.pdf | |
![]() | B25360A1476J100 | B25360A1476J100 EPCOS SMD or Through Hole | B25360A1476J100.pdf | |
![]() | 1086-5.0V | 1086-5.0V NS TO263 | 1086-5.0V.pdf |