창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSD220N06TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSD220N06 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RSD220N06TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSD220N06TL | |
| 관련 링크 | RSD220, RSD220N06TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | K332K20C0GF5TH5 | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K332K20C0GF5TH5.pdf | |
![]() | Y112130K0000B9L | RES SMD 30KOHM 0.1% 0.16W J LEAD | Y112130K0000B9L.pdf | |
![]() | CMF555K1100CHEB | RES 5.11K OHM 1/2W .25% AXIAL | CMF555K1100CHEB.pdf | |
![]() | PSD511B1-C-15 | PSD511B1-C-15 WSI CLCC | PSD511B1-C-15.pdf | |
![]() | LF-H41F 0238 | LF-H41F 0238 ORIGINAL BGA | LF-H41F 0238.pdf | |
![]() | ST95020WP | ST95020WP ORIGINAL SMD or Through Hole | ST95020WP.pdf | |
![]() | BR1111R-820-TR | BR1111R-820-TR STANLEY SOD123 | BR1111R-820-TR.pdf | |
![]() | TC7W66FU (7W66) | TC7W66FU (7W66) TOSHIBA MSOP-8 | TC7W66FU (7W66).pdf | |
![]() | ULN2003APG(SCHZ) | ULN2003APG(SCHZ) TOSHIBA SMD or Through Hole | ULN2003APG(SCHZ).pdf | |
![]() | MCP42100T-E/ST | MCP42100T-E/ST Microchip SMD or Through Hole | MCP42100T-E/ST.pdf | |
![]() | ES3C-TR30 | ES3C-TR30 TAITRON SMC DO-214AB | ES3C-TR30.pdf |