창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSD201N10TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSD201N10 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 850mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RSD201N10TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSD201N10TL | |
| 관련 링크 | RSD201, RSD201N10TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AC-73-18S-2.048000E | OSC XO 1.8V 2.048MHZ ST | SIT8008AC-73-18S-2.048000E.pdf | |
![]() | PI74LPT373SC | PI74LPT373SC P SMD or Through Hole | PI74LPT373SC.pdf | |
![]() | LPS48D12 | LPS48D12 ARTESYN N A | LPS48D12.pdf | |
![]() | CS2N65FA9 | CS2N65FA9 ORIGINAL TO-220F | CS2N65FA9.pdf | |
![]() | GRM1555C1H150GZ01D | GRM1555C1H150GZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM1555C1H150GZ01D.pdf | |
![]() | AL-513IR-940-25C | AL-513IR-940-25C A-BRIGHT ROHS | AL-513IR-940-25C.pdf | |
![]() | UPC27P8GR-E1 | UPC27P8GR-E1 NEC SMD or Through Hole | UPC27P8GR-E1.pdf | |
![]() | TGF3515C06 | TGF3515C06 ZHONGXU SMD or Through Hole | TGF3515C06.pdf | |
![]() | HMC599ST89 | HMC599ST89 HITTITE ST89 | HMC599ST89.pdf | |
![]() | H-R4N-143 | H-R4N-143 LEACH SMD or Through Hole | H-R4N-143.pdf | |
![]() | MAX4002EBL+ | MAX4002EBL+ MAXIM UCSP | MAX4002EBL+.pdf |