창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSD200N05TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSD200N05 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 45V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RSD200N05TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSD200N05TL | |
| 관련 링크 | RSD200, RSD200N05TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40633IDR | 40.61MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40633IDR.pdf | |
![]() | PAT0603E3651BST1 | RES SMD 3.65KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E3651BST1.pdf | |
![]() | PNP300JR-73-0R15 | RES 0.15 OHM 3W 5% AXIAL | PNP300JR-73-0R15.pdf | |
![]() | HHM2910E4 | RF Directional Coupler 1.71GHz ~ 1.98GHz 21.2 ± 1dB 0402 (1005 Metric), 4 PC Pad | HHM2910E4.pdf | |
![]() | 3360104418 | 3360104418 METHODEELECTRONICSINC SMD or Through Hole | 3360104418.pdf | |
![]() | NEC2701 | NEC2701 NEC SOP-4 | NEC2701.pdf | |
![]() | M37160M8H-058FP | M37160M8H-058FP MITSUBISHI SMD | M37160M8H-058FP.pdf | |
![]() | SF2D-12V | SF2D-12V Panasonic SMD or Through Hole | SF2D-12V.pdf | |
![]() | 67XR500KL | 67XR500KL BI DIP | 67XR500KL.pdf | |
![]() | HLMM936 | HLMM936 ROHM SOP | HLMM936.pdf | |
![]() | CY7C53120EZ-10SI | CY7C53120EZ-10SI CYPRESS SMD or Through Hole | CY7C53120EZ-10SI.pdf |