창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSD150N06TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSD150N06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 930pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSD150N06TL | |
| 관련 링크 | RSD150, RSD150N06TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-P6WF8452V | RES SMD 84.5K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF8452V.pdf | |
![]() | CRGV0805F255K | RES SMD 255K OHM 1% 1/8W 0805 | CRGV0805F255K.pdf | |
![]() | KTR10EZPF6340 | RES SMD 634 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF6340.pdf | |
![]() | AA1218JK-073R6L | RES SMD 3.6 OHM 1W 1812 WIDE | AA1218JK-073R6L.pdf | |
![]() | H4P11RFZA | RES 11 OHM 1W 1% AXIAL | H4P11RFZA.pdf | |
![]() | MN15261VOK | MN15261VOK PAN DIP | MN15261VOK.pdf | |
![]() | P87C54X2FBD | P87C54X2FBD NXP LQFP44 | P87C54X2FBD.pdf | |
![]() | REF02AU PBF | REF02AU PBF TI/BB SMD or Through Hole | REF02AU PBF.pdf | |
![]() | RTC6711-53 | RTC6711-53 ORIGINAL SMD or Through Hole | RTC6711-53.pdf | |
![]() | LQH4N101K04M | LQH4N101K04M ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH4N101K04M.pdf | |
![]() | LCMXO2280C-3TN144I | LCMXO2280C-3TN144I Lattice TQFP144 | LCMXO2280C-3TN144I.pdf |