홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RSD131P10TL

Rohm Semiconductor RSD131P10TL

RSD131P10TL
제조업체 부품 번호
RSD131P10TL
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
데이터 시트 다운로드
다운로드
RSD131P10TL 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 553.51280
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RSD131P10TL 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RSD131P10TL 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RSD131P10TL가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RSD131P10TL 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RSD131P10TL 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RSD131P10TL
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RSD131P10
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C13A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs200m옴 @ 6.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs40nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
전력 - 최대850mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지CPT3
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RSD131P10TL
관련 링크RSD131, RSD131P10TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RSD131P10TL 의 관련 제품
0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 비표준 SMD 0.142" L x 0.102" W(3.60mm x 2.60mm) CKG32KX7R2E104K335AJ.pdf
IC HEX CLAMPING CIRCUITS 8-DIP TL7726CPE4.pdf
DIODE PIN 175V 100MA SOD-523 BAP64-02,115.pdf
153533-154 HIT QFP 153533-154.pdf
331286 ST SOP28 331286.pdf
BU4507DF PHI TO3P-3 BU4507DF.pdf
T80A350X EPCOS SMD or Through Hole T80A350X.pdf
BDS-1260S-470M BUJEON DS5022 BDS-1260S-470M.pdf
6417750RF240 HITACHI QFP 6417750RF240.pdf
ADN2806ACPZ-500RL7 ADI SMD or Through Hole ADN2806ACPZ-500RL7.pdf
AM29F010B-90J AM PLCC AM29F010B-90J.pdf
MM74LVX125MTCK FSC TSSOP MM74LVX125MTCK.pdf