창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSD050N06TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSD050N06 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 109m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 15W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RSD050N06TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSD050N06TL | |
| 관련 링크 | RSD050, RSD050N06TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ70ATR | TVS DIODE 70VWM 113VC SMB | SMBJ70ATR.pdf | |
![]() | RT0805CRC0733R2L | RES SMD 33.2 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC0733R2L.pdf | |
![]() | 0434.250NR | 0434.250NR ORIGINAL SMD or Through Hole | 0434.250NR.pdf | |
![]() | 294R | 294R ORIGINAL 1206 | 294R.pdf | |
![]() | SY10422-5FCF | SY10422-5FCF synergymwave SMD or Through Hole | SY10422-5FCF.pdf | |
![]() | TX16D11VM2CAC | TX16D11VM2CAC ORIGINAL SMD or Through Hole | TX16D11VM2CAC.pdf | |
![]() | B1203LS-2W | B1203LS-2W MORNSUN SIP4 | B1203LS-2W.pdf | |
![]() | 420MXG180M25X30 | 420MXG180M25X30 RUBYCON DIP | 420MXG180M25X30.pdf | |
![]() | ECR100M25 | ECR100M25 HITANO DIP | ECR100M25.pdf | |
![]() | CV-635SW | CV-635SW KSS SMD or Through Hole | CV-635SW.pdf | |
![]() | R76QN2680DQ30K | R76QN2680DQ30K ORIGINAL DIP | R76QN2680DQ30K.pdf | |
![]() | N28F020200 | N28F020200 INT PLCC | N28F020200.pdf |