창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RSD046P05TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RSD046P05 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 45V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 155m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 850mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | CPT3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RSD046P05TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RSD046P05TL | |
관련 링크 | RSD046, RSD046P05TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
UPT10RE3/TR13 | TVS DIODE 10VWM 18VC POWERMITE | UPT10RE3/TR13.pdf | ||
BAS16L,315 | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882 | BAS16L,315.pdf | ||
LQH43PN3R3M26L | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 62.4 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43PN3R3M26L.pdf | ||
RM702012 | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 12VDC Coil Socketable | RM702012.pdf | ||
W27E020-70 | W27E020-70 ORIGINAL DIP | W27E020-70.pdf | ||
AJN | AJN MOT QFN | AJN.pdf | ||
PTL1608-F2N7C | PTL1608-F2N7C TOKO SMD | PTL1608-F2N7C.pdf | ||
ECS-036-S-5P-TR | ECS-036-S-5P-TR ECSINC SMD or Through Hole | ECS-036-S-5P-TR.pdf | ||
A814AY-680KP3 | A814AY-680KP3 TOKO SMD or Through Hole | A814AY-680KP3.pdf | ||
DS1818R-10+T R | DS1818R-10+T R MAXIM SMD or Through Hole | DS1818R-10+T R.pdf | ||
ADG1312YRUZ | ADG1312YRUZ ADI SMD or Through Hole | ADG1312YRUZ.pdf | ||
IM5040 B1 | IM5040 B1 IMDEIA BGA | IM5040 B1.pdf |