창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSB6.8CS--T2RA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RSB6.8CS--T2RA | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RSB6.8CS--T2RA | |
| 관련 링크 | RSB6.8CS, RSB6.8CS--T2RA 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SR217A561JARTR1 | 560pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR217A561JARTR1.pdf | |
![]() | 416F320XXCDR | 32MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320XXCDR.pdf | |
![]() | ISC1210BN5R6K | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 210mA 1.4 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BN5R6K.pdf | |
![]() | AQY221R2CVW | PHOTOMOS (MOSFET) RELAY | AQY221R2CVW.pdf | |
![]() | RN73C2A21K5BTDF | RES SMD 21.5KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A21K5BTDF.pdf | |
![]() | RG1608N-5621-W-T5 | RES SMD 5.62K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-5621-W-T5.pdf | |
![]() | H82K0FYA | RES 2.00K OHM 1/4W 1% AXIAL | H82K0FYA.pdf | |
![]() | STGB10NB60S | STGB10NB60S ST D2PAK | STGB10NB60S.pdf | |
![]() | 0603-23.7R | 0603-23.7R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-23.7R.pdf | |
![]() | FAR-F5CB-881M50-G201T | FAR-F5CB-881M50-G201T ORIGINAL SMD or Through Hole | FAR-F5CB-881M50-G201T.pdf | |
![]() | 2N3906/PS | 2N3906/PS KEC TO-92 | 2N3906/PS.pdf | |
![]() | LL1005S6N8DT000 | LL1005S6N8DT000 TDK SMD or Through Hole | LL1005S6N8DT000.pdf |