창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RS1E350BNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RS1E350BN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7900pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RS1E350BNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RS1E350BNTB | |
| 관련 링크 | RS1E35, RS1E350BNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | RT1206BRD07154KL | RES SMD 154K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07154KL.pdf | |
![]() | TL-YS15MY14-US | Inductive Proximity Sensor 0.591" (15mm) IP66, NEMA 1,3,4,12,13 Module | TL-YS15MY14-US.pdf | |
![]() | 3361P-103LF | 3361P-103LF BONENS DIP | 3361P-103LF.pdf | |
![]() | 0532611271+ | 0532611271+ MOLEX SMD | 0532611271+.pdf | |
![]() | MRF933K | MRF933K MOTO SMD or Through Hole | MRF933K.pdf | |
![]() | TC1185-2.8VCT713 NOPB | TC1185-2.8VCT713 NOPB MICROCHIP SOT153 | TC1185-2.8VCT713 NOPB.pdf | |
![]() | UPD77P56CR | UPD77P56CR NEC DIP | UPD77P56CR.pdf | |
![]() | SG6841SA | SG6841SA SG SMD8 | SG6841SA.pdf |